错失英伟达合作致HBM落后，三星七年前决策失误隐患显现,三星和英伟达
近日，有观点称三星电子的半导体业务困境（在先进制程代工与高带宽内存（HBM）供应领域，均未能获得英伟达等核心客户的大规模订单）或源于七年前一次关键战略决策的失误。
据悉，2018年，英伟达首席执行官黄仁勋曾秘密访问三星电子，提出三项深度合作计划：联合开发先进HBM内存、共同推进8纳米之后的先进制程代工技术，以及协作建设CUDA软件生态系统。若当时达成合作，三星或能在高端半导体市场占据更有利地位。
但彼时三星集团实际负责人李在镕因深陷司法调查，无法与黄仁勋会面。这一事件不仅阻碍了双方高层直接沟通，也导致三星在关键节点上缺乏长远战略定力。最终，三星电子拒绝了英伟达的全部提案。黄仁勋事后直言：“三星无人愿与我讨论长期战略”，显露对合作落空的失望。
有业内人士表示，在HBM技术迭代进程中，SK海力士凭借早期与AMD的合作建立先发优势。尽管三星曾在HBM2阶段主导市场，但从HBM3世代起，SK海力士通过与英伟达的紧密协作重夺领先地位。业内普遍认为，这一转折直接关联英伟达被拒后转向SK海力士的决策。
目前三星在HBM市场的被动局面已反映在业绩中。2025年3月，SK海力士凭借AI芯片需求激增，超越三星成为全球最大DRAM供应商。为扭转颓势，三星正加速HBM4技术研发，计划本月内向英伟达、AMD等客户提供样品，试图在下一代竞争中扳回一城。
半导体行业观察者指出，七年前的决策暴露出三星战略灵活性的缺失。当技术路线与市场机遇交汇时，巨头的转身速度或将决定其未来十年的行业坐标。
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